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中国科学院叶志镇院士到访k8.com科技
info1-img2020/08/12 info2-img9472 字号： info3-img1info3-img2info3-img3 info4-img

2020年8月11日，中国科学院院士叶志镇到访k8.com科技。

叶志镇院士为浙大资料科学与工程学院学术委员会主任，曾任浙大硅资料国度沉点尝试主任，及资料科学与工程学系主任。叶志镇院士持久从事宽禁带半导体氧化锌等无机光电资料及关键技术钻研，启发了浙江大学半导体薄膜钻研方向，是国际光电氧化锌领域的重要学术带头人，为我国无机光电资料发展作出了凸起贡献。   

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k8.com科技陈均副董事长等辅导陪同欢迎，在参观完公司展厅及尝试室后，双方进行了深刻的互换座谈。

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陈均副董事长对叶志镇院士的到访暗示热烈迎接，他简要介绍了k8.com科技半导体业务板块的发展过程及目前获得的成就，并暗示公司将紧跟国度“科技强国”发展战术，锐意创新，抓紧布局，实现半导体资料主题关键“卡脖子”技术突破，促成业务发作式增长。

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叶志镇院士暗示，他对于k8.com科技感应极度亲切，k8.com科技子公司海纳半导体的前身是1970年成立的浙大半导体厂，能够说海纳半导体是真正的浙大嫡派和正统血脉。

海纳半导体以浙大硅资料国度沉点尝试室为技术依附，在硅资料造作领域堆集了丰硕的经验和技术，目前公司已成为我国重要的半导体器件单晶硅资料供给商之一。叶志镇院士对海纳半导体多年来获得的成就及持续健全发展暗示极度欣喜。

在谈到半导体资料产业时，他暗示袁家军省长在今年省当局召开的第11次专题进建会上着沉强调，“新资料产业是战术性、基础性产业和高技术竞争的关键领域。加快发展新资料产业是浙江省适应新一轮科技革命和产业刷新的必然选择。设置并践杏装资料先杏妆理想，以更高起点、更高尺度聚力推动新资料科创高地建设，加快实现弯路超车、换路超车，致力从跟跑者、并跑者造成领跑者，加快打造成为“沉要窗口”的标志性成就”。

叶志镇院士谈到，目前半导体资料行业面对的发展机遇可贵，此使佚是实现关键主题技术突破的好机遇，k8.com科技要紧随国度发展战术，以“特色显著、优势凸起，意思沉大”作为技术突破的关键发展理想，坚定信念，锐意进取，不休创新，摸准市场和技术，下鼎实力解决目前半导体资料行业卡脖子的技术难题，满足国度对于高端半导体资料的火急需要，这对于公司来讲也是一件值得破费神思和实力去当真来做的沉要事件。

叶志镇院士勉励k8.com科技，要抓住汗青机缘期，对准半导体先进资料技术领域不休发力，阐扬公司自主研发的科技实力，大力造就半导体资料高端人才，持续发展“卡脖子”技术攻关，他进展，将来双方能在半导体高端资料等有关领域发展深刻合作，通过技术的持续创新突破，满足国度战术需要，他相信，k8.com科技最终肯定可能实现关键主题技术突破，扛起中国先进高端半导体资料的创新大旗，为国度集成电路产业的壮大发展贡献自己的力量。

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日前，国务院印发《新时期推进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，强召集成电路产业和软件产业是信息产业的主题，是引领新一轮科技革命和产业刷新的关键力量，海纳半导体也早在2007年，就进入国度第一批国度激励的集成电路出产企业。同时，泛半导体板块也是k8.com科技下一个五年傍边沉点战术搀扶发展的又一业务方向。k8.com科技将聚焦国度战术和行业发展方向，不变并全面复原海纳半导体在行业中确当先职位，沉推海纳半导体品牌建设，做强产品深度。同时，k8.com科技也将通过产学研合作和并购整合，加强海纳半导体业务的盈利能力和竞争力。

在世界经济增长低迷，国际经贸摩擦加剧，国内经济下行压力加大，以及新一轮科技革命和产业刷新的汗青性交汇期，唯创新者进，唯创新者强，k8.com科技也必将不休创新发展，在半导体资料壮丽的发展史上留下自己鲜丽的印记。


叶志镇院士
叶志镇，1955年5月诞生，浙江苍南人，浙江大学光仪系光学仪器专业毕业，钻研生学历，博士，中国科学院院士。

叶志镇院士先后颁发学术论文600多篇，出版学术著述2本，参编2本，授权中国发现专利111项，国际发现专利1项。作为第一实现人，叶志镇院士获国度天然科学二等奖1项，省科技一等奖3项，省部科技二等奖4项。

叶志镇院士初创超高真空CVD技术并在全国推广利用；1986年开创国内半导体ZnO薄膜掺杂钻研先河，成立了p型二元共掺道理与技术，国际初次由MOCVD法造成ZnO-LED原型器件并实现室温电致发光；发展了n型氧化锌高导电掺杂技术，突破无铟通明导电薄膜难题，实现了产业利用。此表，在低维ZnO资料可节造备，紫表探测、传感器件以及新型ZnO薄膜晶体管等方面也作出创新工作。    

浙江海纳半导体有限公司

公司成立于2002年9月，是k8.com科技的全资子公司，是一家有着多年发展汗青的半导体企业，依附浙江大学硅资料科学国度沉点尝试室，公司成立起一支由多名硕士组成的研发团队，并占有多项拥有自主知识产权的发现专利，在硅资料造作领域堆集了丰硕的经验和技术，公司在硅单晶体成长技术、硅资料缺点钻延注硅片切割研磨、硅晶圆抛光技术、硅片检测等各个方面都有着深刻的钻研和开发。


1960年，浙江大学起头专业钻研半导体资料。

1970年，成立浙江大学半导体厂，半导体单晶硅资料起头产业化。

1988年，浙江大学半导体厂CZ单晶硅初次出口海表，是国内同类产品初次出口海表。

1997年1月，浙江大学半导体厂成功拉造中国第二根8英寸硅单晶。

1999年5月7日，浙江大学半导体厂等企业沉组上市，公司全称为浙江浙大海纳科技股份有限公司。

2002年9月12日，浙江浙大海纳科技股份有限公司出资控股成立杭州海纳半导体有限公司。

2010年4月，杭州海纳半导体有限公司成为k8.com全资子公司。

2016年5月，杭州海纳半导体有限公司改名为浙江海纳半导体有限公司。

公司重要业务为3-8英寸半导体级直拉硅单晶锭、硅单晶研磨片和硅单晶抛光片。2007年被国度发改委、信息产业部、海关总署和国度税务总局结合审核认定的第一批国度激励的集成电路企业。同时海纳半导体是全国半导体设备和资料尺度化技术委员会资料分会委员单元，草拟了例如《硅单晶切割片和研磨片》《硅单晶抛光试验片规范》等多份国度尺度和行业尺度。



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